반도체 장치의 금속배선 제조방법

Method for fabricating metal line of semiconductor device

Abstract

본 발명은 반도체 장치가 고집적화되면서 금속배선간에 생기는 기생캐패시턴스를 낮추어 금속배선간에 상호간섭을 일으키지 않는 반도체 장치의 금속배선 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 소정공정이 형성된 기판상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막을 선택적으로 제거하여 적어도 하나이상의 금속배선용 홀을 형성하는 단계; 상기 금속배선용 홀의 측벽에 상기 절연막보다 유전율이 큰 물질로 이루어진 금속배선용 제1 스페이서를 각각 형성하는 단계; 및 상기 금속배선용 홀의 내부에 금속막을 매립하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 금속배선 제조방법을 제공한다. 반도체, 금속배선, 층간절연막, 스페이서, 화학적기계적 연마.

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